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放射性液(料)位計(jì)原理、結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

2023/7/14 0:14:44 人評(píng)論 次瀏覽 分類(lèi):物位測(cè)量  文章地址:http://prosperiteweb.com/tech/5036.html

放射性液(料)位計(jì)是利用γ射線的穿透特性,在不直接接觸介質(zhì)的情況下,通過(guò)檢測(cè)穿透物體后的γ射線量來(lái)獲得被測(cè)介質(zhì)物位的一種液(料)位計(jì)。

放射性液(料)位計(jì)原理

放射性液(料)位計(jì)是基于“射線吸收原理”來(lái)測(cè)量容器內(nèi)的物位(料位或液位)。

放射源產(chǎn)生的γ射線穿過(guò)被測(cè)量容器壁和被測(cè)量介質(zhì)時(shí),γ射線被吸收或散射而產(chǎn)生衰減,通過(guò)檢測(cè)器檢測(cè)剩余γ射線的量,并將其轉(zhuǎn)化為電量的變化,然后通過(guò)電子電路放大及計(jì)算處理,獲得被測(cè)量介質(zhì)的物位。


γ射線穿透被測(cè)物料后遵循朗伯-貝爾定律,即按指數(shù)規(guī)律衰減,即:


式中X為放射源發(fā)出的射線強(qiáng)度;μ為吸收系數(shù)(與放射性核素有關(guān)的常數(shù));ρ為被測(cè)量介質(zhì)的密度;d為被測(cè)量介質(zhì)的厚度;Y為射線穿過(guò)密度為ρ,厚度為d的被測(cè)介質(zhì)后的射線強(qiáng)度。

種類(lèi)

放射性液(料)位計(jì)可分為開(kāi)關(guān)型和連續(xù)測(cè)量型兩大類(lèi)。

放射性液(料)位計(jì)主要組成部分和外形結(jié)構(gòu)

放射性液(料)位計(jì)通常由放射源(射線源)、檢測(cè)器帶變送器組成。

1、放射源

放射源一般選擇同位素137Cs或60Co放射源。137Cs半衰期為30.17年,穿透性弱一些;60Co半衰期為5.27年,穿透性強(qiáng)。放射源的選擇要綜合考慮被測(cè)介質(zhì)的密度、容器的材料和壁厚及直徑等因素,由于申請(qǐng)相關(guān)許可證的實(shí)際情況,首選是四類(lèi)五類(lèi)放射源,由于137Cs半衰期長(zhǎng),使用壽命更長(zhǎng),根據(jù)廠家的計(jì)算在137Cs可以穿透的情況下,優(yōu)先使用137Cs,在廠家計(jì)算137Cs無(wú)法穿透的情況,考慮使用60Co。 放射源有點(diǎn)源和棒狀源之分。137Cs一般為點(diǎn)源,也很難做成連續(xù)的棒狀源;而60Co既可做點(diǎn)源又可做棒狀源,通常多個(gè)137Cs點(diǎn)源可以替代達(dá)到棒狀源的效果。

放射源外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示:

放射源外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)

2、接收器

檢測(cè)器通常有電離室、蓋革管和閃爍計(jì)數(shù)器三種類(lèi)型,電離室與蓋革管原理類(lèi)似,電離室目前已經(jīng)很少使用,由于經(jīng)濟(jì)性的需求,蓋革管在料位開(kāi)關(guān)測(cè)量中還有一定的應(yīng)用。檢測(cè)器也分點(diǎn)狀接收器和棒狀接收器。目前使用廣泛的閃爍計(jì)數(shù)器通常是碘化鈉NaI(Ti) 晶體,PVT晶體和光纖等。當(dāng)輻射γ射線進(jìn)入閃爍晶體,使晶體中的原子受激,產(chǎn)生熒光,發(fā)光持續(xù)時(shí)間約為0.25μs。就敏感度而言,碘化鈉晶體與PVT晶體敏感度最高,光纖次之,電離室與蓋革管的敏感度差。棒狀接收器和點(diǎn)式接收器外形如圖所示。

棒狀接收器和點(diǎn)式接收器外形

放射性液(料)位計(jì)主要參數(shù)

1、放射源
放射源通常為137Cs或60Co,放射源強(qiáng)度需要根據(jù)被測(cè)量介質(zhì)特性、容器材質(zhì)及厚度、容器尺寸和形狀,以及安全防護(hù)等因素,由制造廠經(jīng)過(guò)嚴(yán)格計(jì)算后確定。

2、檢測(cè)器及變送器

測(cè)量范圍:0.05~2m(可以多節(jié)級(jí)聯(lián))
測(cè)量精度:±0.5%FS(-40~+60℃)
環(huán)境溫度:-40~60℃
電源:18~36VDC;90~253VAC,50/60Hz
消耗功率:直流供電型約3.5W;交流供電型約8.5VA
信號(hào)輸出:4-20mA+HART;ProfibusPA;Foundation Fieldbus
繼電器輸出:3A AC;1A DC
防護(hù)等級(jí):IP66/IP67防護(hù)等級(jí)
防爆等級(jí):ExdⅡA/B/CT1~6 Ga/Gb/Gc
安全認(rèn)證: WHG/SIL1/SIL2/SIL3(可選)

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